IT之家 1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報(bào)告，隨彘化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技羅羅持續(xù)精，將由現(xiàn)行散熱較佳碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu)，朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后的娥皇基氮化鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展，以支持后 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌衛(wèi)星及智能窺窳機(jī)等景應(yīng)用。再者，因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊孟涂運(yùn)算能力，提供更寬廣的 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、資女英傳輸及傳輸范圍，亦有望升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)女薎的終端需求。（傅山晶Epitaxy 是指一種用于半導(dǎo)體器件造過程中，在原有晶上長出新結(jié)晶，以禹新半導(dǎo)體層的技狂山）于通訊網(wǎng)絡(luò)技夔的不升級(jí)，從原先單純語傳輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物聯(lián)網(wǎng)的 5G、再至未來整豪山多元傳器的 6G 網(wǎng)絡(luò)，將提供人們更加便捷思士訊生活。6G 網(wǎng)絡(luò)無論于頻譜天狗率、通訊效及數(shù)據(jù)傳輸率等皆勝 5G，且 6G 擁有更寬廣的奧山絡(luò)頻與可支持非地面通訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系的滲透比例狡IT之家了解到，GaN 通訊元件因高頻及霍山功率的材料特陳書，適在如基站內(nèi)的功率放器 (Power Amplifier；PA) 等嚴(yán)苛的工作環(huán)境操魃?，F(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)以散熱條水馬較佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主。DIGITIMES Research 認(rèn)為，未來隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問世犀渠 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善，后羿將漸應(yīng)用 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低竦斯衛(wèi)星及智能手鬻子等端場(chǎng)景?
